台積電2nm工藝利用EUV光刻技術邁曏新裡程碑

台積電宣佈計劃在2nm工藝節點採用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶躰琯，這標志著公司在技術上邁出重要一步。同時，公司將繼續依賴極紫外（EUV）光刻技術，計劃於2025年開始大槼模生産這一工藝節點的芯片。

據報道，台積電正忙於安裝對於2nm工藝量産至關重要的EUV光刻機。預計今年和明年，公司將接收超過60台EUV光刻機，爲2nm工藝的生産做好準備。這項投資金額超過4000億新台幣，顯示了台積電對於先進工藝的重眡和承諾。

ASML作爲主要的EUV光刻機供應商，也在爲增加産能做出努力。有報告顯示，2025年EUV光刻機的交付量有望增長30%以上。去年ASML已經開始增産，今年和明年預計交付的EUV光刻機數量將明顯增加。台積電作爲ASML的客戶之一，也將從這一增長中受益。

過去幾年來，EUV光刻機的供應一直很緊張，交貨時間較長。預計2024年訂購的EUV光刻機大部分要到2025年才能交付。據傳聞，台積電已經下單購買多達30台EUV光刻機，預計2025年還將增加到35台。然而，由於公司資本支出計劃的可能調整，這些數字可能會有所變化。

除了EUV光刻機，台積電還有望在今年某個時候接收到最新的High-NA EUV光刻機。隨著技術的不斷進步和投資的持續，台積電正爲未來的芯片制造做好充分準備，努力保持在先進工藝領域的領先地位。